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    低壓超級溝槽MOS

    型號

    溝道

    VDS(Max)

    VGS

    VTH(Typ)

     (Max)

    IDM

    RDS(on)(Max)

    封裝

    直接替代型號

    HMS4438

    N溝道

    60V

    20V

    1.8V

    10A

    60A

    12mΩ

    SOP8

    AO4438/ME4436/Si4436DY
    Si4850EY/IRF7478
    IRF7478Q/IRF7855/ETM6009

    HMS4260

    N溝道

    60V

    20V

    1.7V

    20A

    130A

    4.0mΩ

    SOP8

    AO4260

    HMS4444

    N溝道

    85V

    20V

    1.8V

    15A

    60A

    7.0mΩ

    SOP8

    AO4444L/AO4448

    HMS4454

    N溝道

    100V

    20V

    1.8V

    8A

    40A

    20mΩ

    SOP8

    AO4454/AO4452/FDS3672

    HMS4296

    N溝道

    100V

    20V

    1.7V

    12A

    48A

    11.5mΩ

    SOP8

    AO4296

    HMS4294

    N溝道

    100V

    20V

    1.7V

    14A

    56A

    8.8mΩ

    SOP8

    AO4294

    HMS4290

    N溝道

    100V

    20V

    1.7V

    16A

    64A

    7.9mΩ

    SOP8

    AO4290

    HMS4296B

    N溝道

    120V

    20V

    1.7V

    12A

    48A

    10.9mΩ

    SOP8

    AO4296


    中壓大電流超級溝槽MOS

    型號

    溝道

    VDS
    (Max)

    VGS

    VTH

    ID
    (Max)

    IDM

    RDS(on)
    (Max)

    封裝 

    直接替代型號

    HMS45N03D

    N

    30V

    20V

    1.5V

    45A

    125A

    5.8mΩ

    DFN3X3-8L

     

    HMS65N03Q

    N

    30V

    20V

    1.5V

    65A

    260A

    1.9mΩ

    DFN3X3-8L

     

    HMS85N03ED

    N

    30V

    20V

    1.5V

    85A

    200A

    2.7mΩ

    DFN5X6-8L

    HMS120N03D

    N

    30V

    20V

    1.7V

    120A

    340A

    1.95mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6512

    HMS170N03D

    N

    30V

    20V

    1.5V

    170A

    400A

    1.35mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6406/AON6512
    AON6500/AON6560

    HMS60N04EQ

    N / 帶
    ESD保護

    40V

    20V

    1.5V

    60A

    240A

    3.5mΩ

    DFN3X3-8L

    AON7140/AON7240/AON7242

    HMS90N04D

    N

    40V

    20V

    1.5V

    90A

    360A

    2.2mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6590/AON6144/AON6152/4/6

    HMS110N04D

    N

    40V

    20V

    1.7V

    110A

    340A

    2.4mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6590/AON6144
    AON6152/AON6154/AON6156

    HMS150N04D

    N

    40V

    20V

    1.7V

    50A

    400A

    1.6mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6590/AON6144

    HMS60N06D

    N

    60V

    20V

    1.7V

    60A

    240A

    4.0mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6248/AON6266

    HMS80N06D

    N

    60V

    20V

    1.7V

    80A

    320A

    3.5mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6242/AON6244/AON6246
    AON6260/AON6160/AON644

    HMS150N06D

    N

    60V

    20V

    2.5V

    150A

    600A

    2.8mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6160

    HMS50N06/K

    N

    60V

    20V

    1.8V

    50A

    200A

    15mΩ

    TO-220
    TO-252

    STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/SSF6808
    AP50N06/PHD50N06/FQP50N06/FTD50N06

    HMS3205/K/D

    N

    60V

    20V

    1.7V

    120A

    480A

    3.5mΩ

    TO-220
    TO-252
    TO-263

    IRF3205/DFP3205/MXP6008/RU3205/RU6099
    MT3205/UF3205/YR3205/SSF5508/KIA3205
    JCS3205C/JCS110N05/IRF3203/WFP3205

    HMS100N85D

    N

    85V

    20V

    2.5V

    100A

    380A

    5.3mΩ

    DFN5X6-8L

    HMS18N10Q/D

    N

    100V

    20V

    1.8V

    18A

    72A

    20mΩ

    DFN3X3-8L
    DFN5X6-8L

    AON6484/AON6486AON7292/
    AON7296/AON7450

    HMS40N10D

    N

    100V

    20V

    1.7V

    40A

    160A

    7.2mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6224/AON6298

    HMS60N10D

    N

    100V

    20V

    2.5V

    60A

    240A

    8.5mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6298/AON6450/SiR878ADP/SiR876ADP
    SiR882ADP/SiR846ADP/SiR804DP/
    SiR870ADP/SiJ470DP/SM1A06NSKP

    HMS60N10DA

    N

    100V

    20V

    1.7V

    60A

    240A

    7.2mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6298/AON6450/SiR878ADP/SiR876ADP
    SiR882ADP/SiR846ADP/SiR804DP
    SiR870ADP/SiJ470DP/SM1A06NSKP

    HMS105N10D

    N

    100V

    20V

    2.5V

    105A

    400A

    3.5mΩ

    DFN5X6-8L

    HMS80N10A/
    D/KA/AL

    N

    100V

    20V

    1.7V

    80A

    320A

    7.2mΩ

    TO-220
    TO-263
    TO-252
    TO-251S

    IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510
    IRF8010/AOT296/AOT298/AOT412

    HMS4030/D

    N

    100V

    20V

    2.5V

    115A

    345A

    8.5mΩ

    TO-220
    TO-263

    IRLB4030/IRFB4310
    AOT1100/AOT290/AOT410

    HMS4030A/DA

    N

    100V

    20V

    3.0V

    120A

    360A

    4.5mΩ

    TO-220
    TO-263

    IRLB4030/IRFB4310
    AOT1100/AOT290/AOT410

    HMS4110T

    N

    100V

    20V

    3.0V

    180A

    720A

    3.0mΩ

    TO-247

    IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
    AOT290/AOT410

    HMS50N120DA

    N

    120V

    20V

    1.7V

    50A

    200A

    10mΩ

    DFN5X6-8L

    HMS20N15K

    N

    150V

    20V

    3.3V

    20A

    80A

    65mΩ

    TO-252

    AOD254/AOD256/AOD4454/SUD15N15
    SUD25N15/IRFR4615/IRFR18N15D
    AP20N15GH/IRFR24N15D

    HMS20N15KA

    N

    150V

    20V

    1.9V

    20A

    80A

    56mΩ

    TO-252

    AOD254/AOD256/AOD4454/SUD15N15
    SUD25N15/IRFR4615/IRFR18N15D
    AP20N15GH/IRFR24N15D

    HMS45N15K/D

    N

    150V

    20V

    3.1V

    23A/
    -20A

    45A

    24mΩ

    TO-252/
    DFN5X6-8L

    AON6160

    HMS50N15LD

    N

    150V

    20V

    2.5V

    50A

    200A

    25mΩ

    DFN5X6-8L

    AON6160

    HMS110N15

    N

    135V

    20V

    2.5V

    110A

    440A

    6.3mΩ

    TO-220

    IRFB52N15D/IRFB41N15D/IRF3415
    IRFB4615/IRFB5615/STP50N15/
    IXTH50N15/IRFB4321/G/SUP85N15


    雙N溝道中壓大電流超級溝槽MOS

    型號

    溝道

    VDS(Max)

    VGS

    VTH(Typ)

     (Max)

    IDM

    RDS(on)(Max)

    封裝

    直接替代型號

    HMS35N10DA

    N溝道

    100V

    20V

    2.0V

    35A

    140A

    18mΩ

    DFN5X6-8L


    備注:
    1. 標注的Id電流是MOS芯片的最大常態電流,實際使用時的最大常態電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設計產品時的最大使用電流設定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設計產品時的最大使用電流設定更重要的是要考慮MOS的內阻參數。
    2. 建議在MOS的柵源(G/S)極之間并一個電阻(10K)和一個穩壓二極管(5V-12V)起到保護柵源(G/S)極過壓的作用。
    3.建議MOS管的開啟電壓盡量提高,這樣MOS管才能充分開啟導通,這個時候內阻最小,不容易發燙。一般建議低壓MOS的VGS開啟電壓設定為4.5V以上,中高壓MOS的開啟電壓設定為10V以上.
    4.MOS 電路操作注意事項:
    靜電在很多地方都會產生,采取下面的預防措施,可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞:
    • 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
    • 設備外殼必須接地。
    • 裝配過程中使用的工具必須接地。
    • 必須采用導體包裝或抗靜電材料包裝或運輸

    華之美半導體超級溝槽工藝MOS系列產品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。通過采用這一先進技術,最新的30V-100V中低壓MOS產品的FOM(品質因數(Rdson*Qg))比上一代產品降低了45%。新款超級溝槽工藝MOS的軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰,實現在AC/DC電源的同步整流中快速開關。
     
    超級溝槽工藝技術全面提升了產品的導通電阻溫度特性,有效控制了器件導通電阻隨溫度增加而上升的幅度,以100V產品為例,對比上一代溝槽型MOSFET產品,超級溝槽工藝技術將器件175度下的導通電阻倍增因子(Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C)由原有的2.29降低為2.09,從而顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。超級溝槽工藝MOS產品將更適宜于高溫嚴酷環境下的應用!
     
    配合先進的封裝技術,超級溝槽工藝技術致力于提升MOSFET器件在電能轉換過程中的系統效率和功率密度,同時確保在苛刻環境下開關過程中的抗沖擊耐量,實現快速、平穩、高效的電源管理。
     
    目前推出的量產品種包含30、40、60、80V、100V的中低壓系列,同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇。
     
    特點與優勢:
     
    · 極低的Rdson                             
    · 極低的Qg和Qgd                         
    · 極低的FOM(Rdson*Qg)           
    · 高溫下的電流能力更強
    · 快速柔軟恢復的體二極管特性   
    · 低Crss/Ciss,增強抗EMI能力    
    · 高UIS耐量,100%出廠測試          
    · 符合RoHS標準
     
    應用:
     
    · 交流/直流電源的同步整流           
    · 直流電機驅動            
    · 逆變器          
    · 電池充電器和電池保護電路
    · 26V-96V系統中的馬達控制                
    · 隔離的直流-直流轉換器                           
    · 不間斷電源

     

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